本文標(biāo)題："電子顯微鏡可以觀(guān)察微米下材料的表面形貌-金相顯微鏡常識(shí)"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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電材料之表面形貌及其 vertical PFM 的振幅及相位圖，可明顯看出晶界必定為鐵電區(qū)的邊界，
而單一晶粒可以擁有數(shù)個(gè)小的鐵電區(qū)，每個(gè)鐵電區(qū)的尺寸可以小至幾百奈米的尺寸。
PCT 表面形貌, (b) PCT 的 out-of-plane 鐵電區(qū)的 amplitude 及 phase 影像，掃瞄尺寸為 1微米見(jiàn)方。
接著采用膜厚 300nm 的 Bi0.9Pb0.1FeO3(BPFO)鐵電薄膜量測(cè) in-plane 的局部
壓電響應(yīng)曲線(xiàn)。在圖 4-3 中的紅色十字所標(biāo)的位置作定點(diǎn)的壓電響應(yīng)曲線(xiàn)量測(cè)，
為其 in-plane 壓電響應(yīng)曲線(xiàn)的(a)壓電響應(yīng)相位曲線(xiàn)圖及(b)壓電響應(yīng)振幅曲線(xiàn)圖及(c) 壓電響應(yīng)曲線(xiàn)圖。
可知此定點(diǎn)的極化反轉(zhuǎn)電壓為4.385V，而在此in-plane 壓電響
應(yīng)曲線(xiàn)中可明顯觀(guān)察到有電壓偏移的現(xiàn)象，此偏移的來(lái)源可能為表面感應(yīng)電荷的
貢獻(xiàn)，使施加電壓為4.385V時(shí)仍無(wú)法順利使極化反轉(zhuǎn)，造成電壓偏移。
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