本文標(biāo)題："使用掃描電流顯微鏡對(duì)氧化層進(jìn)行量測"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類: 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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可經(jīng)由微區(qū)的電特性量測來暸解氧化層內(nèi)漏電流之傳導(dǎo)機(jī)制，進(jìn)而分析其薄膜品質(zhì)。然而上述方法仍屬于破壞性的量測方式，
于是我們利用統(tǒng)計(jì)電流分布的方式，計(jì)算掃描區(qū)域的穿隧電流(tunneling current)訊號(hào)分布之半高寬值(full-width at half-maximum，F(xiàn)WHM)，
藉FWHM值的變化來分析薄膜品質(zhì)好壞。首先，掃描電流顯微鏡在零偏壓條件下對(duì)氧化層進(jìn)行量測，
由電流分布統(tǒng)計(jì)得到初始FWHM值，從進(jìn)行量測的過程中可知，當(dāng)施予的偏壓產(chǎn)生微小變化，會(huì)明顯影響其穿隧電流的大小，
當(dāng)逐漸增加偏壓會(huì)陸續(xù)得到其他電流分布的FWHM值，比較各組數(shù)據(jù)之間的差異，
當(dāng)設(shè)定的偏壓增加至-5.0 V左右會(huì)造成FWHM值有較明顯的上升，其原因是較大的偏壓能提供較高的電場，
導(dǎo)致較大的穿隧電流從試片表面?zhèn)鲗?dǎo)出來，因而使得電流訊號(hào)分布增加，以致于FWHM值上升，
其原理為近代物理的量子穿隧(quantum tunneling)理論，掃描電流顯微鏡在進(jìn)行量測時(shí)，
導(dǎo)電探針與試片會(huì)形成一微小的MOS (metal–oxide– semiconductor)結(jié)構(gòu)，當(dāng)施予高偏壓會(huì)使得氧化層的能障寬度變窄，
相當(dāng)于氧化層厚度變薄，此時(shí)電子越過三角能障區(qū)域而產(chǎn)生F-N穿隧電流的機(jī)率便會(huì)增加。而根據(jù)F-N穿隧理論，若穿隧電流的大小為IFN，
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